Zeitschrift: IET Power Electronics

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Bergmann, Lukas ; Bakran, Mark-M.:
Design and validation of a novel semiconductor area optimised 3300 V SiC half bridge for MMC.
In: IET Power Electronics. Bd. 17 (2024) Heft 7 . - S. 789-801.
ISSN 1755-4543
DOI der Verlagsversion: doi:/10.1049/pel2.12693

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